Wafer, di tutti i tipi (non solo CPU) - Silicon wafers

In questa pagina sono raccolti i wafer facenti parte della mia collezione non inseriti in altre pagine del sito. La maggior parte di essi purtroppo non è identificata o comunque è molto difficile da identificare con sicurezza, dunque le descrizioni sono ridotte al minimo. Tutte le immagini della pagina, dove non diversamente specificato, sono ottenute con scansione diretta su scanner piano HP ScanJet 4890, a 300 dpi per i wafer completi ed a 1.200 oppure 2.400 dpi per i dettagli.

Due wafer da 1 e 1,5 pollici (epoca imprecisata).

Wafer da 1,5 pollici di integrati logici DTL Mullard C261 (FCH131), circa 1968 (vedi: https://www.datasheetarchive.com/FCH131-datasheet.html).

Wafer da 2 pollici, probabilmente memorie.

Maschera fotolitografica da 2 pollici, probabilmente Signetics.

Wafer da 2,5 pollici.

Wafer Signetics da 2,5 pollici.

Wafer AMi da 2,5 pollici.

Wafer Signetics.

Dettaglio.

Fermacarte contenente wafer da 3,5 pollici con memorie DRAM da 256 kbit fabbricato da Western Electric (1982). Proviene dalla sede dei Bell Labs di Murray Hill in New Jersey. Queste memorie vennero inizialmente utilizzate nelle centrali telefoniche AT&T.

Wafer da 3 pollici di memorie CMOS da 1 Mbit fabbricato dai Bell Labs (Laboratori Bell). I Bell Labs furono il primo produttore industriale di memorie di questa capacità dopo l'IBM.

Wafer AMi da 3 pollici.

Wafer da 3 pollici.

Wafer da 3 pollici.

Wafer da 3 pollici di sensori CCD.

Wafer di DSP Rockwell R5301 (primi anni Novanta).

Wafer da 4 pollici di integrati Signetics.

Wafer di memorie SRAM fabbricato da HP.

Dettaglio.

Wafer di memorie.

Wafer di memorie ferroelettriche (FeRAM o FRAM) Ramtron FM1208, 1991/1992. Questo tipo di memoria si proponeva come un'alternativa alle EEPROM, più veloci ed in grado di sopportare un maggior numero di cicli di lettura/scrittura. Tecnicamente le FeRAM sono simili a ordinarie memorie RAM dinamiche nelle quali lo strato dielettrico è sostituito da uno strato ferroelettrico, da cui il nome del dispositivo. Come le normali DRAM necessitano di un'operazione di riscrittura dopo ogni lettura. Il più grande limite delle FeRAM, che ne ha condizionato la diffusione sul mercato, è la densità per bit più bassa rispetto a quella delle EEPROM. La FM1208 aveva una capacità di 512×8 bit ed un tempo d'accesso di 100 nanosecondi.

Wafer di componenti CMOS sviluppati dalla divisione HP di Corvallis (Oregon), 1985.

Dettaglio.

Wafer di componenti CMOS fabbricati da HP, per la precisione compressori di dati impiegati nelle unità di backup a nastro.

Dettaglio.

Wafer di ASIC CMOS LSI Logic.

Dettaglio.

Wafer da 4 pollici.

Wafer di ASIC VLSI fabbricato da LSI Logic.

Dettaglio.


Wafer Rockwell

In questa sezione sono raccolti 14 wafer VLSI CMOS da 4 e 6 pollici fabbricati da Rockwell Semiconductors all'inizio degli anni Novanta. Si tratta di prototipi provenienti dalla raccolta di un ex dipendente di questa azienda. In massima parte si tratta di processori o DSP utilizzati in modem ed altre applicazioni di comunicazione o trasmissione dati.

 

 

 

 

 

 

 


Wafer da 6 pollici contenente dispositivi CCD (primi anni Novanta).

Wafer di integrati VLSI Rockwell C5902.

Contenitore di integrati Rockwell fabbricati da VLSI Technologies, non montati nei package (1995).

Wafer di gate array CMOS LSI Logic.

Un altro wafer di gate array LSI Logic.

Wafer LSI Logic.

Wafer contenente ASIC LSI Logic (1993).

Wafer Siliconix.

Wafer del 1995 contenente dispositivi LSI della Texas Instruments (controller di rete?)

Wafer di ASIC CMOS LSI Logic (1995).

Wafer di ASIC Texas Instruments con DSP integrato (circa 1997).

Dettaglio.

Wafer di microcontroller Siliconix.

Wafer AMi, 1986.

Dettaglio.

Un altro wafer AMi, circa 1986/7.

Dettaglio.

Wafer da 6 pollici, purtroppo non integro, di componenti VLSI CMOS fabbricato probabilmente da IBM. Non l'ho inserito nelle pagine dedicate all'IBM in quanto non sono sicuro che sia effettivamente un loro prodotto.

Dettaglio.

Wafer di ASIC VLSI CMOS, probabilmente della famiglia di processori PA-RISC, fabbricato da HP.

Wafer di processori CMOS.

Dettaglio.

Wafer di microcontroller CMOS, forse Texas Instruments.

Dettaglio.

Un altro wafer di CPU.

Dettaglio.

Wafer di VLSI CMOS probabilmente fabbricato da IBM.

Dettaglio.

Wafer da 8 pollici con integrati VLSI, probabilmente qualche tipo di CPU, 1998.

Wafer (scartato durante la lavorazione) proveniente da una "fab" Intel in Israele: contiene probabilmente CPU Pentium M.

Wafer di processori RISC con architettura MIPS RM-7000.

Dettaglio.

Wafer CMOS da 8 pollici.

Dettaglio.

Wafer Intel da 300 mm, montato per il taglio (dicing).

Wafer da 300 mm, probabilmente di memorie EEPROM (E2PROM).

Wafer da 300 mm contenente memorie di tipo imprecisato.

Il risultato del taglio (dicing) di un wafer da 150 mm di memorie SRAM CMOS. 

Wafer di microcontroller per smartcard fabbricato da Atmel (1999).

Wafer da 150 mm (con autoritratto involontario), purtroppo rotto, presumibilmente di gate array o qualche altro tipo di ASIC. Le dimensioni dei singoli chip sono notevoli, circa 1,7×1,7 centimetri.

Piccola maschera fotolitografica AMi, circa 1985.

Maschera fotolitografica AMI del 1982.

Altra maschera fotolitografica sempre della AMI, questa è del 1981.

Maschera fotolitografica TSMC.

Dettaglio.

Maschera per la fabbricazione di un modulo multichip della CPU del supercomputer Cray 3. E' una maschera per foto-litografia, anche se non utilizzata per produrre circuiti integrati. Per realizzare un modulo multichip completo (in particolare per creare i livelli di interconnessione nel substrato) erano necessarie più maschere simili a questa, per la precisione 8. Successivamente si passava alla fase di montaggio e saldatura dei chip (logiche LSI all'arseniuro di Gallio, GaAs) sul substrato. I moduli multichip del VAX 9000 venivano fabbricati con un procedimento simile. Il procedimento, un esempio tipico di packaging 3D, era molto avanzato per l'epoca (1990) ma molto meno "denso" rispetto agli standard attuali: il Cray 3 aveva una densità circuitale di circa 96.000 porte logiche per pollice cubico, contro i milioni di porte per centimetro quadrato ottenibili al giorno d'oggi con tecnologie molto meno costose.

Vedi: https://www.researchgate.net/figure/Cray-3-module-assembly-37_fig5_2998085, https://www.pinterest.it/pin/483574078709956126/, http://www.digibarn.com/collections/systems/crays/cray3/index.html.

Vedi: https://www.worthpoint.com/worthopedia/8x-cray-supercomputer-computer-pcb-1851755865 (set completo di maschere).

Maschera AMD per la deposizione dei punti di saldatura (solder bumps) su un wafer da 8 pollici.

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